Horizontalanlage für 300 mm-Waferprozessierung im Hochdurchsatz
Horizontalanlage für vielfältige Einsatzmöglichkeiten
Vertikalanlage für Silizium-Halbleiterprozesse in F&E- und Produktionsumgebung
Hochtemperatur-Annealingofen für SiC und weitere Materialien in Ar-, N2- und H2-Umgebung
Hochtemperaturofen für die Oxidation von SiC sowie Pre- und Post-Oxidation Annealing
RTP-Anlage für Silizium- und Verbindungshalbleiter
Die führende Hochdurchsatz-PECVD-Technologie für die Solarzellenbeschichtung
Der Industriemaßstab für die Niederdruck-Diffusion von Solarzellen
Flexible Vakuumlötanlagen mit Mehrfach-Heizplatten
Vakuumlötanlagen für F&E und Produktion im Pilotmaßstab
Muffelofen für DCB-Substrate (Direct Copper Bond)
Flexibler Durchlaufofen für F&E und Hochvolumen-Produktion
Hochtemperatur-Annealing und -Behandlung von Halbleiterkristallen mit breitem Bandabstand
Niederdruck-Oxidationsofen für die Stabilisierung von Carbonfaser-Präkursoren
Labor-Durchlaufofen für die Niedertemperatur-Carbonisierung von Fasern
Durchlauf-Ultrahochtemperaturofen für die Fasergraphitierung im Labormaßstab
Durchlaufofen für keramische Hochtemperatur-Materialien wie Keramikfasern
