ANNEALING

Hochtemperatur-Annealingofen für SiC und weitere Materialien in Ar-, N2- und H2-Umgebung

Der centrotherm c.ACTIVATOR wurde für das Hochtemperatur-Annealing in der hochvolumigen Produktion von SiC-Bauteilen entwickelt, ist aber auch für andere Materialien bestens geeignet. Es sind zwei Versionen verfügbar, die Wafergrößen bis zu 200 mm ermöglichen. Der metallfreie Aufbau von Prozessrohr und Heizsystem ermöglicht Prozesstemperaturen bis zu 2000 °C.

Die Hauptanwendung für c.ACTIVATOR ist die elektrische Aktivierung durch Post-Implantation-Annealing für die SiC-MOSFET- und Diodenfertigung bei hohen Temperaturen von bis zu 2000°C.

Weitere Anwendungen sind

  • Hochtemperatur-Wasserstoff-Annealing zur Glättung, Reinigung und Abrundung von Gräben nach dem (RIE-)Ätzprozess zur Verbesserung der Kanalbeweglichkeit und der Feldverdichtung an scharfen Kanten in der Trench-MOSFET-Fertigung
  • Kosteneffiziente Aktivierung der Dotierstoffe in GaN-Wafern bei 1150 - 1250°C
  • Annealing von AlN-Seed-Schichten und AlN-Epitaxieschichten bei ~1700°C

Prozesse

  • SiC-Annealing
  • Post-Implantation-Annealing
  • H2-Annealing zur Trench-Optimierung
  • GaN-Annealing
  • AlN-Annealing

Optionen

  • Mini-Prozessumgebung mit Schleusensystem und optionaler Stickstoff-Spülung für eine Durchsatzsteigerung bis 25%
  • Vakuumprozess bei < 10-3 mbar
  • Automatisiertes Wafer-Handling
  • Höherer Durchsatz mit mehr als 100.000 Wafer/Jahr (prozessabhängig)

Vertrieb Halbleiter & Mikroelektronik

Tel. +49 7344 918 6794
E-Mail schreiben

Besuchen Sie uns

CS MANTECH
CS MANTECH
JW Marriott Starr Pass Resort | Tucson, Arizona, USA

Features & Benefits

  • Hohe Aktivierungsrate
  • Minimale Oberflächenrauhigkeit (mit geeignetem C-cap)
  • Maximale Temperatur 2000 °C
  • Hochtemperaturstabile Heizkassette
  • Geringer Platzbedarf
  • Dauerbetrieb bei Temperaturen ≤1600 °C
  • Metallfreie Heizelemente und Isolatoren
  • Batchgrößen ≥50 Wafer
  • Automatische Kalibrierung
  • Temperatur-profilierendes Thermoelement
Hochtemperatur-Prozess

Hochtemperatur-Prozess

Wafergrößen bis 200 mm

Wafergrößen bis 200 mm

Verbindungshalbleiter

Verbindungshalbleiter

Hinweis zur Nutzung von Cookies: Für die Bereitstellung unserer Angebote werden auf dieser Seite technisch notwendige Cookies gesetzt. Darüber hinaus verwenden wir Google Analytics für die statistische Auswertung von anonymen Nutzungsdaten zur Verbesserung unseres Angebots.
Datenschutzerklärung | Impressum

Sie befinden sich auf der Internetseite der centrotherm international AG, Blaubeuren. Wenn Sie nach der Internetseite der Centrotherm Systemtechnik GmbH, Brilon suchen, dann klicken Sie bitte hier. Wir weisen darauf hin, dass beide Unternehmen neben dieser Namensähnlichkeit keine geschäftlichen Verbindungen miteinander haben.