Prozesslösungen

für die Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie

Seit mehr als 70 Jahren entwickelt und realisiert centrotherm innovative thermische Lösungen. Als führender und global agierender Technologiekonzern bieten wir Produktionslösungen für die Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie an.

Die kontinuierliche Weiterentwicklung unserer Prozesstechnologie für die thermische Bearbeitung und Beschichtung von Halbleitermaterialien bilden die Basis für erfolgreiche Partnerschaften mit Industrie und Forschung. Unsere Kunden weltweit schätzen die Prozessstabilität, Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit unserer Produktionssysteme im Labor- oder Pilotmaßstab sowie in der Massenproduktion. Wir entwickeln zukunftsweisende Prozesstechnologien, die speziell auf die Anforderungen unserer Kunden zugeschnitten sind. So generieren wir für unsere Kunden wertvolle Wettbewerbsvorteile durch gezielte innovative Prozess- und Produktionslösungen.

Von Silizium bis WBG-Verbindungshalbleiter

Als einer der führenden Entwickler und Hersteller von Produktionsequipment bieten wir Lösungen für verschiedene Halbleitertechnologien und -anwendungen an. Unser Technologieportfolio umfasst Anlagen für die Prozessierung verschiedener Substrate und Materialklassen – von siliziumbasierten Halbleitern bis hin zu Wide-Band-Gap (WBG)-Halbleitern wie SiC oder GaN.

Wir realisieren Ihre individuelle Applikation mit anspruchsvollen Prozesstechnologien

Unsere Prozesskompetenz

Waferherstellung

Silizium

  • Annealing
  • Nass-/ Trockenoxidation
  • LP Poly

SOI

  • Nass-/ Trockenoxidation

SiC

  • HT-Annealing

Leistungshalbleiter

MOS

  • Diffusion / Oxidation
  • LPCVD
  • RTP

IGBT

  • HT Oxidation / Drive-in
  • Al/Ga Deposition / Diffusion
  • Dünnwafer-Annealing
  • Vakuumlöten

GaN HEMT

  • Dielektrikum / Passivierung
  • RTP

SiC MOSFET

  • Annealing (Aktivierung / Kantenglättung)
  • Oxidation (Gate /POA)
  • RTP

MEMS / TSV

  • Poly Si / SiGe (dotiert / undotiert)
  • Low-stress SiN / SiO
  • Dotiertes / undotiertes SiO2 (TEOS / LTO / HTO)
  • Vakuumlöten

Optoelektronik

VCSEL

  • LT-Nassoxidation
  • Vakuumlöten

Laserdioden / Glasfaser-Kommunikation

  • Vakuumlöten

Advanced Packaging

  • Vakuumlöten
  • Bump Reflow-Löten
  • Vakuumversiegelung

Passive Bauteile

Kupfer

  • Direct Copper Bonding (DCB)
  • Aktivlöten

Keramik

  • Sintern (MLCC / LTCC)

Glas

  • Reflow-Löten
  • Fügen (Glas auf Substrat)
Siliziumcarbid-Wafer

Technologieführer für SiC-Hochtemperaturprozesse

Siliziumcarbid-Wafer

Wafer bis 200 mm

centrotherm ist mit seinen Hochtemperaturöfen für Annealing- und Oxidationsprozesse für SiC-Wafer bis 150 mm weltweit führender Anbieter und Lieferant renommierter Hersteller von Leistungselektronik. Mit der neuen Anlagengeneration für 200 mm-Wafer, die als Bridging-fähige Anlage auch für 150 mm-Wafer verwendet werden kann, ermöglichen wir unseren Kunden, ihre Kosten um bis zu 23% zu senken.

Forschungsprojekte

centrotherm ist Konsortiumspartner und Technologielieferant der europäischen Forschungsprojekte TRANSFORM und REACTION, die von der EU im Rahmen des Forschungsprogramms KDT JU (Key Digital Technologies Joint Undertaking) sowie nationalen Institutionen gefördert werden. Die Projekte zielen darauf ab, die europäische Wettbewerbsfähigkeit in der SiC-Fertigung zu stärken und die neue Technologie zur industriellen Reife zu bringen. Die SiC-Technologie ermöglicht eine deutliche Steigerung der elektrischen Energieeffizienz.

Neben den technologischen und gesellschaftlichen Zielen ist das Hauptziel, den Weg zu einer grünen Wirtschaft, z.B. durch klimaneutrale Mobilität zu ebnen.

Equipment für die Halbleiterindustrie

Horizontal- und Vertikalanlagen

Horizontalanlage für Wafer bis 200 mm
c.HORICOO 200

Horizontalanlage für 300 mm-Wafer
c.HORICOO 300

Vertikalanlage für Wafer bis 200 mm
c.VERTICOO

Hochtemperaturöfen für WBG-Verbindungshalbleiter

Hochtemperatur-Annealingofen
c.ACTIVATOR

Hochtemperatur-Oxidationsofen
c.OXIDATOR

Rapid Thermal Processing Equipment

RTP-Anlage für Wafer bis 200 mm
c.RAPID 200