OXIDATION

Der c.OXIDATOR Hochtemperatur-Oxidationsofen wurde speziell für die Anforderungen an die SiC-Oxidation entwickelt, kann aber auch für die Oxidation von Silizium verwendet werden. Der für die Volumenproduktion ausgelegte Ofen ist in zwei Versionen für Wafergrößen bis 200 mm erhältlich. Optional sind eine in-situ Nassoxidation sowie H₂- und NH₃-Annealingprozesse möglich.

Temperaturen bis 1500 °C und weitere Features eröffnen eine ganze Reihe an Möglichkeiten in der SiC-Oxidation und bei der Entwicklung von hochwertigen Gate-Oxiden mit niedriger Zustandsdichte (Dit) und hoher Kanalbeweglichkeit.

Der Prozessreaktor ist für eine hohe Leistungsfähigkeit bei geringem Platzbedarf und niedrigen Betriebskosten ausgelegt und bietet gleichzeitig höchste Prozessflexibilität. Die Konzeption von Prozessrohr und Heizelement innerhalb der Vakuumkammer garantiert einen sicheren Einsatz von toxischen und brennbaren Gasen.

Post-Oxidation Annealing (POA) in NO-, N₂O- oder NH₃-Atmosphäre führt zu einer verbesserten SiO₂/SiC-Grenzfläche und damit zu einer höheren Kanalbeweglichkeit sowie einer verbesserten Stabilität und Langlebigkeit des Oxids auf SiC.

H₂ und H₂O (O₂-/H₂-reich) stehen zur Vor- und Nachbehandlung von thermischen und deponierten Gate-Oxiden zur Verfügung.

Durch das robuste korrosionsbeständige Design kann auch Chlor, das durch einen DCE-Bubbler bereitgestellt wird, sicher und ohne langfristige Schäden an Türverschluss und Abgasleitung eingesetzt werden. Chlor kann zur Reinigung der SiC-Prozessapparatur oder für den Prozess selbst verwendet werden.

Durch seine Vakuumfähigkeit kann c.OXIDATOR hervorragend in der Entwicklung, Optimierung und Produktion von hochwertigen thermischen Gate-Oxiden, sowie für eine Vielzahl von Vor- und Nachbehandlungen, die auch für deponierte Oxide unerlässlich sind, eingesetzt werden.