Horizontalanlage für 300 mm-Waferprozessierung im Hochdurchsatz
Die Horizontalanlage c.HORICOO 300 ist für die Massenproduktion von 300 mm-Wafern entwickelt worden. Auf der Basis seiner großen Erfahrung in der Halbleiterindustrie liefert centrotherm mit c.HORICOO 300 eine neue Plattform für die Waferprozessierung in einer vollautomatisierten Halbleiterfertigung.
Das Heizelement setzt sich aus 5 Zonen zusammen, die jeweils aus zwei Halbschalen bestehen und eine hervorragende Temperaturhomogenität garantieren. Mit dem centrotherm Hydrox-System können Nassoxidationsprozesse mit unterschiedlichen Feuchtegraden gefahren werden.
Temperaturen von bis zu 1200 °C ermöglichen eine schnellere Oxidation und kürzere Drive-In-Prozesse.
Das System ist mit einer modernen Touch-Schnittstelle und einer Fabrik-Host-Kopplung zur MES-Anbindung ausgestattet. Die neueste CESAR II-Software ermöglicht eine SEMI-konforme Rezepturverwaltung sowie Fernsteuerung und -wartung.
Das modulare Konzept von c.HORICOO 300 ermöglicht eine Einzelofen-Konfiguration mit vier Rohren oder ein Anlagencluster mit acht Rohren.
Prozesse
Nass- und Trockenoxidation (DCE oder HCl)
Annealing (N2)
Optionen
4-Rohr-Einzelofen-Konfiguration
Features & Benefits
Neue vollautomatische Plattform
Vollautomatisches Wafer- und Boot-Handling
Modularer Aufbau und maximale Flexibilität
Clusteranlage mit zwei 4-Rohr-Öfen
Prozessrohre aus Quarz oder SiC
Auswählbare Optionen für Prozessrohr-Konfigurationen
Automatischer Luftdruckausgleich
ISO-2-konformer Bereich für die Wafer-Handhabung
Schnelle und problemlose Installation und Inbetriebnahme im Reinraum
Side-by-Side-Installation
Hochentwickelte Wasserkühlung
Keine thermische Wechselwirkung zwischen einzelnen Prozessrohren
