Um die Ausbeute von Halbleiterkristallen und -bauelementen mit breitem Bandabstand zu optimieren, müssen spannungsbedingte Defekte und Versetzungen auf ein Minimum reduziert werden. Eine Methode zur Verringerung von Defekten und Versetzungen ist eine thermische Behandlung der Kristalle unmittelbar nach dem Wachstumsprozess.

Der Hochtemperatur-Annealingofen c.CRYSCOO HTA wurde speziell entwickelt, um die Produktivität und die Gesamtbetriebskosten bei der Herstellung von Halbleitermaterial mit breitem Bandabstand deutlich zu verbessern.

Aufgrund der hervorragenden Temperatursteuerung und -gleichmäßigkeit übertrifft der c.CRYSCOO HTA hierbei aktuell gängige Öfen. Seine große Prozesskammer ermöglicht die gleichzeitige Verarbeitung von über 10 Boules, Ingots oder sogar 80 Rohwafern. Diese Kapazität führt in Kombination mit der ausgezeichneten Temperaturhomogenität zu einer höheren Ausbeute pro Kristall.