Die Stand-Alone-RTP-Anlage c.RAPID 200 wurde speziell für die vielseitigen Prozessanforderungen sowohl in F&E als auch im Produktionsbereich entwickelt. Hohe Leistungsfähigkeit und Flexibilität in Verbindung mit niedrigen Gesamtbetriebskosten machen sie zu einer der besten Lösungen im Bereich Rapid Thermal Processing.

Die Möglichkeit, Substrate entweder auf einem Suszeptor oder in einer Box zu prozessieren gewährleistet in Verbindung mit einer atmosphärischen oder Vakuum-Prozessumgebung ein breites Spektrum für mögliche Anwendungen im Bereich der Verbindungshalbleiter (z.B. für SiC oder GaN).

Die oberflächenunabhängige Temperatursteuerbarkeit ist ein absolutes Alleinstellungmerkmal unter bestehenden RTP-Lösungen.

Das pyrometerbasierte Temperaturmesssystem ermöglicht Prozesse bei niedrigen und hohen Temperaturen. Die unabhängige Lampensteuerung in Kombination mit der prädiktiven PID-Regelung bietet eine ausgezeichnete thermische Genauigkeit und Wiederholbarkeit.

c.RAPID 200 arbeitet mit einem vollautomatischen Beladesystem und ist mit einer oder zwei Prozesskammern sowie mit bis zu vier Beladestationen konfigurierbar.