Das Stand-alone-RTP-System c.RAPID 200 erfüllt die hohen Anforderungen von F&E- und Produktionslinien und vereint hohe Leistungsfähigkeit und Flexibilität mit niedrigen Gesamtbetriebskosten. Als Tier-1-Lieferant für Schlüsselanwendungen im Bereich der WBG-Technologien konnten wir seine Leistungsfähigkeit bereits umfassend in Produktionsstätten weltweit unter Beweis stellen.

Mit der Version „Gen 2“ bringt centrotherm eine neue Ausführung des c.RAPID 200 mit erweiterten Funktionen und Optimierungen auf den Markt, die unsere Position als Technologieführer in der Verarbeitung von WBG-Materialien weiter stärken.

Das 150-/200-mm-Bridge-Tool ist für die Waferprozessierung sowohl in Suszeptor- als auch in Box-Konfiguration geeignet und unterstützt den Betrieb bei Atmosphärendruck sowie im Vakuum. Der erweiterte Temperaturbereich (RT–1350 °C) ermöglicht eine oberflächen- und emissivitätsunabhängige Prozessierung sämtlicher Substrate aus WBG-Materialien wie SiC, GaN, Saphir, Diamant, GaAs bis hin zu Silizium.

Das System nutzt ein pyrometerbasiertes Temperaturmesssystem, das exakte Prozesse sowohl bei niedrigen als auch bei hohen Temperaturen erlaubt. Eine unabhängige Lampensteuerung sowie eine prädiktive PID-Regelung gewährleisten darüber hinaus eine exzellente thermische Genauigkeit und Reproduzierbarkeit.