Equipment

Horizontalanlage für 300 mm-Waferprozessierung im Hochdurchsatz

Horizontalanlage für vielfältige Einsatzmöglichkeiten

Vertikalanlage für Silizium-Halbleiterprozesse in F&E- und Produktionsumgebung

Hochtemperatur-Annealingofen für SiC und weitere Materialien in Ar-, N₂- und H₂-Umgebung

Hochtemperaturofen für die Oxidation von SiC sowie Pre- und Post-Oxidation Annealing

RTP-Anlage für Silizium- und Verbindungshalbleiter

Die führende Hochdurchsatz-PECVD-Technologie für die Solarzellenbeschichtung

Der Industriemaßstab für die Niederdruck-Diffusion von Solarzellen

Flexible Vakuumlötanlagen mit Mehrfach-Heizplatten

Vakuumlötanlagen für F&E und Produktion im Pilotmaßstab

Muffelofen für DCB-Substrate (Direct Copper Bond)

Flexibler Durchlaufofen für F&E und Hochvolumen-Produktion

Hochtemperatur-Annealing und -Behandlung von Halbleiterkristallen mit breitem Bandabstand

Niederdruck-Oxidationsofen für die Stabilisierung von Carbonfaser-Präkursoren

Labor-Durchlaufofen für die Niedertemperatur-Carbonisierung von Fasern

Durchlauf-Ultrahochtemperaturofen für die Fasergraphitierung im Labormaßstab

Durchlaufofen für keramische Hochtemperatur-Materialien wie Keramikfasern