工艺解决方案

半导体&微电子行业

centrotherm致力于创新型热处理解决方案的开发和实施迄今已有70多年的历史。作为一家全球领先的技术运营集团,我们持续为半导体和微电子行业的客户提供生产解决方案。

我们长期深耕于半导体材料的热处理&膜层沉积技术创新,这为与行业和研发伙伴的成功合作奠定了坚实基础。无论是应用实验室、中试线、或大规模生产,我们工艺技术的稳定性、可扩展性和可靠性都得到了来自全球客户的充分肯定和赞许。我们的先进工艺技术可满足客户的定制化需求。通过专业的创新工艺和生产解决方案,我们可为客户创造了持续的竞争优势。

从硅基到宽禁带化合物半导体

作为生产设备的领先开发者和制造商之一,我们为各类半导体的技术及应用提供解决方案。我们的产品组合包括用于加工各种基板和材料类别的设备——从硅基半导体到宽禁带半导体,如SiC或GaN。

从硅基到宽禁带化合物半导体
我们的先进工艺技术可实现您的个性化应用需求

专业应用

晶圆制造

  • 退火
  • 湿氧/干氧氧化
  • 低压沉积 多晶硅

SOI

  • 湿氧 / 干氧氧化

SiC

  • 高温退火

功率半导体

MOS

  • 扩散 / 氧化
  • 低压化学气相沉积
  • 快速热处理工艺

IGBT

  • 高温氧化 / 推阱
  • Al/Ga 沉积 / 扩散
  • 薄片退火
  • 真空焊接

GaN HEMT

  • 电介质/ 钝化层
  • 快速热处理工艺

SiC MOSFET

  • 退火 (激活 / 沟槽平滑化)
  • 氧化 (栅氧 /氧化后退火)
  • 快速热处理工艺

MEMS / TSV

  • Poly Si / SiGe (doped / undoped)
  • Low-stress SiN / SiO
  • Doped / undoped SiO2 (TEOS / LTO / HTO)
  • 真空烧结

光电子

VCSEL

  • 低温湿氧
  • 真空烧结

激光二极管/ 光纤通信

  • 真空烧结

先进封装

  • 真空烧结
  • Bump reflow
  • 真空密封

无源元件

  • 直接铜键合衬底
  • 活性金属钎焊

陶瓷

  • 烧结(积层陶瓷晶片电容/ 低温共烧陶瓷)

玻璃

  • 回流焊接
  • 玻璃与基底健合

用于SiC高温工艺的领先技术

我们的高温退火和氧化工艺设备可加工150mm及以下尺寸的SiC晶圆,作为全球领先的技术提供商,我们已成为了许多知名电力电子制造商的供应商。我们下一代的200mm工艺设备可兼容150mm晶圆,使我们客户的成本降低高达23%。

centrotherm是欧洲REACTION研究项目的技术合作伙伴,参与建立了欧洲第一条200mm SiC生产线。该项目由欧盟和德国联邦教育和研究部(BMBF)资助,是ECSEL(欧洲领先电子部件和系统)研究项目的一部分。

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