centrotherm致力于创新型热处理解决方案的开发和实施迄今已有70多年的历史。作为一家全球领先的技术运营集团，我们持续为半导体和微电子行业的客户提供生产解决方案。
我们长期深耕于半导体材料的热处理&膜层沉积技术创新，这为与行业和研发伙伴的成功合作奠定了坚实基础。无论是应用实验室、中试线、或大规模生产，我们工艺技术的稳定性、可扩展性和可靠性都得到了来自全球客户的充分肯定和赞许。我们的先进工艺技术可满足客户的定制化需求。通过专业的创新工艺和生产解决方案，我们可为客户创造了持续的竞争优势。
工艺解决方案
半导体&微电子行业
从硅基到宽禁带化合物半导体
作为生产设备的领先开发者和制造商之一，我们为各类半导体的技术及应用提供解决方案。我们的产品组合包括用于加工各种基板和材料类别的设备——从硅基半导体到宽禁带半导体，如SiC或GaN。
我们的先进工艺技术可实现您的个性化应用需求
专业应用
晶圆制造
硅
- 退火
- 湿氧/干氧氧化
- 低压沉积 多晶硅
SOI
- 湿氧 / 干氧氧化
SiC
- 高温退火
功率半导体
MOS
- 扩散 / 氧化
- 低压化学气相沉积
- 快速热处理工艺
IGBT
- 高温氧化 / 推阱
- Al/Ga 沉积 / 扩散
- 薄片退火
- 真空焊接
GaN HEMT
- 电介质/ 钝化层
- 快速热处理工艺
SiC MOSFET
- 退火 (激活 / 沟槽平滑化)
- 氧化 (栅氧 /氧化后退火)
- 快速热处理工艺
MEMS / TSV
- Poly Si / SiGe (doped / undoped)
- Low-stress SiN / SiO
- Doped / undoped SiO2 (TEOS / LTO / HTO)
- 真空烧结
光电子
VCSEL
- 低温湿氧
- 真空烧结
激光二极管/ 光纤通信
- 真空烧结
先进封装
- 真空烧结
- Bump reflow
- 真空密封
无源元件
铜
- 直接铜键合衬底
- 活性金属钎焊
陶瓷
- 烧结（积层陶瓷晶片电容/ 低温共烧陶瓷）
玻璃
- 回流焊接
- 玻璃与基底健合
用于SiC高温工艺的领先技术
晶圆尺寸达200mm
我们的高温退火和氧化工艺设备可加工150mm及以下尺寸的SiC晶圆，作为全球领先的技术提供商，我们已成为了许多知名电力电子制造商的供应商。我们下一代的200mm工艺设备可兼容150mm晶圆，使我们客户的成本降低高达23%。
产品半导体行业
水平和垂直系统
常压和真空工艺
宽带隙半导体的高温炉
退火和氧化工艺
快速热处理设备
用于硅和化合物半导体