高温退火
用于SiC 和其他材料在氩气、氮气和氢气气体氛围下的高温退火工艺
centrotherm 的c.ACTIVATOR 高温激活炉是专为在高真空环境下碳化硅(SiC) 器件制造中的高温退火应用而开发的，但它同时也可处理其他材料。两种配置可选，处理晶圆尺寸达200 mm。centrotherm 独特的工艺炉管和加热系统设计可支持温度可高达2000 °C 以上。
在SiC MOSFET 和二极管制造中， c.ACTIVATOR 主要应用于2000°C以内高温下离子植入后退火的电子激活工艺。
进一步应用包括：
- 为了改善沟槽MOSFET制造中的沟槽迁移率和尖角处的场强尖峰效应，在(RIE)刻蚀后进行高温氢退火工艺，可使MOSFET沟槽表面光滑、洁净和圆滑
- 在GaN晶圆上进行1150 - 1250 °C 的掺杂活化具有成本效益
- 在~1700 °C 下进行AlN种子层和AlN外延层退火工艺
工艺
- SiC 基底退火工艺
- 离子植入后退火
- H2退火，沟槽倒角优化工艺
- GaN 退火
- AIN 退火
选配
- 装载区—选配装载区内 N2吹扫装置，使产量提高25%
- 真空度 < 10-3 mbar
- 圆自动处理系统
- 产量高>100,000片/年(取决于过程)
半导体和微电子销售
Tel. +86 21 6162 1018 8429
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CS MANTECH
Hilton New Orleans Riverside | New Orleans, LA
特点&优点
- 高激活率
- 极小表面粗糙度(需适当的C-cap)
- 最高温度2000 °C
- 高可靠性高温加热炉体
- 较小的占地面积
- 在1600 °C 及以下可持续工艺
- 非金属加热材料& 绝缘材料
- 批量一次工艺≥50片
- 温度自动校准
- 校温热电偶
高温工艺
晶圆尺寸达200mm
化合物半导体
