centrotherm 的c.ACTIVATOR 高温激活炉是专为在高真空环境下碳化硅(SiC) 器件制造中的高温退火应用而开发的，但它同时也可处理其他材料。该桥式设备可支持最大200 mm晶圆，并采用独特的全飞金属工艺管与加热方案，最高工艺温度可达2000 °C 。

在这一成熟设计的基础上，centrotherm 现推出全新c.ACTIVATOR 200 PRO。该设备通过提升舟具装载量以及支持在更高温度下卸载晶圆（显著缩短了工艺周期），实现了50% 的产能提升。

在SiC MOSFET 和二极管制造中， c.ACTIVATOR 主要应用于2000°C以内高温下离子植入后退火的电子激活工艺。

此外，该系统还用于高温氢气退火，以在RIE刻蚀后对沟槽进行清洁、平滑及圆角处理，从而提高沟道迁移率，并降低沟槽型MOSFET尖角处的场强尖峰效应。其他应用还包括：SiC 外延前后退火、GaN 晶圆高性价比掺杂激活、AlN 籽晶层退火，以及用于实现工程化 SiC 晶圆完美键合界面的退火工艺。