centrotherm 的c.ACTIVATOR 高温激活炉是专为在高真空环境下碳化硅(SiC) 器件制造中的高温退火应用而开发的，但它同时也可处理其他材料。两种配置可选，处理晶圆尺寸达200 mm。centrotherm 独特的工艺炉管和加热系统设计可支持温度可高达2000 °C 以上。

在SiC MOSFET 和二极管制造中， c.ACTIVATOR 主要应用于2000°C以内高温下离子植入后退火的电子激活工艺。

进一步应用包括：

• 为了改善沟槽MOSFET制造中的沟槽迁移率和尖角处的场强尖峰效应，在(RIE)刻蚀后进行高温氢退火工艺，可使MOSFET沟槽表面光滑、洁净和圆滑
• 在GaN晶圆上进行1150 - 1250 °C 的掺杂活化具有成本效益
• 在~1700 °C 下进行AlN种子层和AlN外延层退火工艺