c.RAPID 200 独立RTP系统将高性能和灵活性与低运行成本相结合，满足您研发和生产线的严格要求。作为在WBG技术领域关键应用的第一梯队供应商，我们已经能够在全球范围内的量产制造基地证明其性能。
centrotherm推出了c.RAPID 200的新型号„Gen 2“，该型号具备了增强的功能和多项优化，进一步巩固了我们作为WBG材料加工技术领导者的地位。
150 mm/200 mm 兼容设备采用基板或盒式配置进行晶圆处理，适用于常压工艺和真空工艺。其增强的温度范围（RT-1350°C）支持从SiC、GaN、蓝宝石、金刚石、GaAs等WBG材料到硅的所有衬底的热处理工艺，且晶圆表面不受其发射率影响。
该系统采用基于高温计的温度测量系统，可在低温和高温下都能进行精确的工艺。独立的加热灯控制和有预测功能的PID控制系统进一步确保了极佳的热预算精度和可重复性。
