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RTP
硅基及化合物半导体快速热处理系统(RTP)

centrotherm独立的RTP系统c.RAPID 200是专为有多种工艺需求的研发及生产而开发的。其高性能、高灵活性、低成本等特点使其成为了快速热处理的最佳选择。

该设备可将晶圆放置在基板上或放置于专用密封盒子中,并在常压或真空环境下运行实现各类化合物半导体(如SiC 或 GaN)的工艺应用。

其控温不依赖于晶圆表面温度的表现是该RTP 解决方案的独特优势。基于红外辐射高温计的温度测量系统确保能进行低温和高温工艺。独立的加热灯控制结合具有预测功能的PID控制提供了极佳的热控制精度及重复性。

c.RAPID 200 配有全自动操作系统,有单腔和双腔两种版本,可配置高达4个花篮装载台。

工艺

  • 快速热退火(RTA)
    - 离子注入退火
    - 接触/金属退火
    - 源极/漏极退火
  • 硅化物形成(Ti, Co, Ni, Pt等)
  • 回流
  • 掺杂源激活
  • 注入损伤修复

特点&优点

  • 免受不同材料辐射系数的影响
  • 免受器件表面形貌的影响
  • 比友商更高的uptime
  • 优化的热电偶
  • 全自动晶圆装载系统
  • 可调真空工艺或常压工艺
  • 优异的温度均匀性
  • 精确地温度控制
  • 基板或盒子可切换
  • 可兼容SMIF