RTP

硅基及化合物半导体快速热处理系统(RTP)

centrotherm独立的RTP系统c.RAPID 200是专为有多种工艺需求的研发及生产而开发的。其高性能、高灵活性、低成本等特点使其成为了快速热处理的最佳选择。

该设备可将晶圆放置在基板上或放置于专用密封盒子中,并在常压或真空环境下运行实现各类化合物半导体(如SiC 或 GaN)的工艺应用。

其控温不依赖于晶圆表面温度的表现是该RTP 解决方案的独特优势。基于红外辐射高温计的温度测量系统确保能进行低温和高温工艺。独立的加热灯控制结合具有预测功能的PID控制提供了极佳的热控制精度及重复性。

c.RAPID 200 配有全自动操作系统,有单腔和双腔两种版本,可配置高达4个花篮装载台。

工艺

  • 快速退火(RTA)
    - 离子注入退火
    - 接触/ 金属退火
    - 源极/漏极退火
  • 硅化物形成(Ti, Co, Ni, Pt, 等.)
  • 磷硅玻璃回流
  • 掺杂活化

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ECSCRM
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Vinci International Convention Centre Tours, France

特点&优点

  • 升温速率高达40 K/s(盒子内150mm硅片工艺)
  • 支持并排安
  • 全自动晶圆装载系统

极佳的可靠性

  • 可调真空压力或常压工艺
  • 优异的温度均匀性
  • 精确的温度控制

最大的灵活性

  • 200mm 晶圆可置于基板或盒子内进行工艺
  • 可配置有2个工艺腔和4个花篮装载台
  • 可兼容SMIF
晶圆尺寸达200mm

晶圆尺寸达200mm

化合物半导体

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自动操作

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