高温氧化

用于SiC 的高温氧化及离子植入后的退火炉

centrotherm 的 c.OXIDATOR 高温氧化炉主要用于SiC的特殊氧化工艺,同时也可用于常规硅的氧化工艺。该批量高温炉有两种配置可选,处理晶圆尺寸达200 mm。c.OXIDATOR 即可支持原位湿氧氧化工艺,又可用于H2 和NH3 退火工艺。

工艺温度高达1500 °C,c.OXIDATOR 所支持的其他特性为SiC的氧化开辟了广泛的应用领域,其所生长的SiC氧化层具有较低的界面陷阱密度(Dit)和较高的通道迁移率。

杰出的反应腔室设计确保了设备的极佳性能,使其占地少,使用成本降低,同时提高了工艺灵活性。

真空反应腔的炉管和加热元件内置式设计可确保安全使用有毒和可燃性气体。

在NO、N2O或NH3气氛中进行氧化后退火(POA)可改善SiO2/SiC界面态,从而提高沟道迁移率,以及SiC表面氧化物的稳定性和持久性。

此外,H2和H2O(富O2和富H2)可用于热生长栅氧和沉积栅氧的预处理工艺或后处理工艺。

由于抗腐蚀设计,DCE起泡器供应的氯也可以安全使用,而不会对炉门密封和排气管道造成长期损坏。氯也可用于清洁碳化硅工艺设备以及工艺本身的催化。

由于其真空性能,c.OXIDATOR可较好地应用于高质量热栅氧化物的开发、优化和生产,以及各种预处理&后处理工艺,亦是沉积氧化物的必需工艺流程。

工艺

  • 高温SiC & Si氧化
  • NO和N2O氛围下POA(氧化后退火)
  • 湿氧氧化
  • 高温H2基底预处理

选配

  • 湿氧工艺的氢氧点火装置
  • 容自动晶圆处理系统

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ECSCRM
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特点&优点

  • 在SiC上高氧化速率生长氧化层
  • 支持900 °C-1500 °C的高温工艺
  • 高氧化层质量
  • NO, N2, N2O, NH3氛围下氧化物氮化成为可能
  • 富O2-/富H2-湿式氧化工艺
  • 形成有H2/Ar和H2/N2的安全混合气体氛围工艺
  • 原位DCE氯离子清洗
  • 高可靠性高温加热炉体
  • 占地面积小
  • 非金属加热 & 绝缘材料
  • 支持并排安装
  • 温度自动校准
  • 校温电偶
高温工艺

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晶圆尺寸达200mm

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化合物半导体

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