为了优化宽禁带 (WBG)材料和半导体器件的良率，应力相关的缺陷和位错必须保持在较小的范围。而在晶体生长后立即进行热处理则可减少与缺陷和位错导致的良率损失。
c.CRYSCOO HTA 高温退火炉在WBG材料及设备价值链的应用中可显著提高生产率、并降低使用成本。
由于其优越的温度控制及均匀性，c.CRYSCOO HTA表现优于传统感应加热炉。更长的工艺恒温区可以同时处理超过10块晶柱、锭，或甚至80片裸晶圆。高产能与优越的温度均匀性相结合确保每个晶体的良率达到更高。
