centrotherm 的 c.OXIDATOR 高温氧化炉主要用于SiC的特殊氧化工艺，同时也可用于常规硅的氧化工艺。该批量高温炉有两种配置可选，处理晶圆尺寸达200 mm。c.OXIDATOR 即可支持原位湿氧氧化工艺，又可用于H₂ 和NH₃ 退火工艺。

工艺温度高达1500 °C，c.OXIDATOR 所支持的其他特性为SiC的氧化开辟了广泛的应用领域，其所生长的SiC氧化层具有较低的界面陷阱密度(Dit)和较高的通道迁移率。

杰出的反应腔室设计确保了设备的极佳性能，使其占地少，使用成本降低，同时提高了工艺灵活性。

真空反应腔的炉管和加热元件内置式设计可确保安全使用有毒和可燃性气体。

在NO、N₂O或NH₃气氛中进行氧化后退火（POA）可改善SiO₂/SiC界面态，从而提高沟道迁移率，以及SiC表面氧化物的稳定性和持久性。

此外，H₂和H₂O（富O₂和富H₂）可用于热生长栅氧和沉积栅氧的预处理工艺或后处理工艺。

由于抗腐蚀设计，DCE起泡器供应的氯也可以安全使用，而不会对炉门密封和排气管道造成长期损坏。氯也可用于清洁碳化硅工艺设备以及工艺本身的催化。

由于其真空性能，c.OXIDATOR可较好地应用于高质量热栅氧化物的开发、优化和生产，以及各种预处理&后处理工艺，亦是沉积氧化物的必需工艺流程。