高温退火

用于SiC 和其他材料在氩气、氮气和氢气气体氛围下的高温退火工艺

centrotherm 的c.ACTIVATOR 高温激活炉是专为在高真空环境下碳化硅(SiC) 器件制造中的高温退火应用而开发的,但它同时也可处理其他材料。两种配置可选,处理晶圆尺寸达200 mm。centrotherm 独特的工艺炉管和加热系统设计可支持温度可高达2000 °C 以上。

在SiC MOSFET 和二极管制造中, c.ACTIVATOR 主要应用于2000°C以内高温下离子植入后退火的电子激活工艺。

进一步应用包括:

  • 为了改善沟槽MOSFET制造中的沟槽迁移率和尖角处的场强尖峰效应,在(RIE)刻蚀后进行高温氢退火工艺,可使MOSFET沟槽表面光滑、洁净和圆滑
  • 在GaN晶圆上进行1150 - 1250 °C 的掺杂活化具有成本效益
  • 在~1700 °C 下进行AlN种子层和AlN外延层退火工艺

工艺

  • SiC 基底退火工艺
  • 离子植入后退火
  • H2退火,沟槽倒角优化工艺
  • GaN 退火
  • AIN 退火

选配

  • 装载区—选配装载区内 N2吹扫装置,使产量提高25%
  • 真空度 < 10-3 mbar
  • 圆自动处理系统
  • 产量高>100,000片/年(取决于过程)

半导体和微电子销售

Tel. +86 21 6162 1018 8429
电子邮件

访问我们

ECSCRM
ECSCRM
Vinci International Convention Centre Tours, France

特点&优点

  • 高激活率
  • 极小表面粗糙度(需适当的C-cap)
  • 最高温度2000 °C
  • 高可靠性高温加热炉体
  • 较小的占地面积
  • 在1600 °C 及以下可持续工艺
  • 非金属加热材料& 绝缘材料
  • 批量一次工艺≥50片
  • 温度自动校准
  • 校温热电偶
高温工艺

高温工艺

晶圆尺寸达200mm

晶圆尺寸达200mm

化合物半导体

化合物半导体

Cookie: 为了更好地提供服务,我们会使用必要的cookies技术;此外,我们会使用谷歌分析对匿名用户数据进行统计分析,以此来提高我们的服务。
隐私政策 | 版本说明

您访问的是位于布劳博伊伦的centrotherm国际股份有限公司网站。如果您想访问位于布里隆的Centrotherm系统技术有限公司网页,请点击此处。两家公司毫无关联,敬请注意。