退火

宽晶带隙晶体高温退火及热处理应用系统

为了优化宽禁带 (WBG)材料和半导体器件的良率,应力相关的缺陷和位错必须保持在较小的范围。而在晶体生长后立即进行热处理则可减少与缺陷和位错导致的良率损失。

c.CRYSCOO HTA 高温退火炉在WBG材料及设备价值链的应用中可显著提高生产率、并降低使用成本。由于其优越的温度控制及均匀性,c.CRYSCOO HTA表现优于传统感应加热炉。更长的工艺恒温区可以同时处理超过12块晶柱、锭,或甚至100片裸晶圆。高产能与优越的温度均匀性相结合确保每个晶体的良率达到更高。

工艺

  • WBG晶体(晶柱、锭、裸晶片)生长后的退火工艺
  • 碳化硅粉的制造(工艺步骤包括纯化)
  • GaO/GaN-on-SiC (材料优化)
  • 蓝宝石晶体或SiC的AIN (改善晶格失配)

半导体和微电子销售

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ECSCRM
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Vinci International Convention Centre Tours, France

特点&优点

  • 晶体内部优异的温度均匀性
  • 高达2200°C的高温处理,持续时间长达数天
  • 生产率显著提高
  • 改善WBG价值链中的运营成本
化合物半导体

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高温工艺

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总购置成本低

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