OXIDATION

Hochtemperaturofen für die Oxidation von SiC und Silizium sowie für POA-Anwendungen

Der c.OXIDATOR Hochtemperatur-Oxidationsofen wurde speziell für die Anforderungen an die SiC-Oxidation entwickelt, kann aber auch für die Oxidation von Silizium verwendet werden. Der für die Volumenproduktion ausgelegte Ofen ist in zwei Versionen für Wafergrößen bis 200 mm erhältlich. Optional sind eine in-situ Nassoxidation sowie H2- und NH3-Annealingprozesse möglich.

Temperaturen bis 1500 °C und weitere Features eröffnen eine ganze Reihe an Möglichkeiten in der SiC-Oxidation und bei der Entwicklung von hochwertigen Gate-Oxiden mit niedriger Zustandsdichte (Dit) und hoher Kanalbeweglichkeit.

Der Prozessreaktor ist für eine hohe Leistungsfähigkeit bei geringem Platzbedarf und niedrigen Betriebskosten ausgelegt und bietet gleichzeitig höchste Prozessflexibilität. Die Konzeption von Prozessrohr und Heizelement innerhalb der Vakuumkammer garantiert neben N2, Ar, O2 und H2O einen sicheren Einsatz von toxischen und brennbaren Gasen wie wie NO, N2O, H2 undNH3.

Post-Oxidation Annealing (POA) in NO-, N2O- oder NH3-Atmosphäre führt zu einer verbesserten SiO2/SiC-Grenzfläche und damit zu einer höheren Kanalbeweglichkeit sowie einer verbesserten Stabilität und Langlebigkeit des Oxids auf SiC.

Weiterhin steht H2 und H2O (O2- & H2-reich) zur Vor- und Nachbehandlung von thermischen und deponierten Gate-Oxiden zur Verfügung.

Durch das konsequente korrosionsbeständige Design kann auch Chlor, das durch einen DCE bubbler bereitgestellt wird, ohne langfristige Schäden an Türverschluss und Abgasleitung sicher eingesetzt werden. Chlor kann zur Reinigung der SiC-Prozessgarnitur oder für den Prozess selbst verwendet werden.

Durch seine Vakuumfähigkeit kann c.OXIDATOR hervorragend in der Entwicklung, Optimierung und Produktion von hochwertigen thermischen Gate-Oxiden, sowie für eine Vielzahl von Vor- und Nachbehandlungen, die auch für deponierte Oxide unerlässlich sind, eingesetzt werden.      

Prozesse

  • Hochtemperaturoxidation von Siliziumcarbid und Silizium
  • Post Oxidation Annealing (POA) in NO- und N2O-Umgebung
  • Nassoxidation
  • Hochtemperatur-H2-Vorbehandlung

Optionen

  • Hydrox-System für die Nassoxidation
  • Automatisches Waferhandling für 100 mm and 150 mm Wafer
  • Integrierter Speicher für 6 x 25 Wafer (optional: 12 x 25 Wafer)

Vertrieb Halbleiter & Mikroelektronik

Tel. +49 7344 918 6794
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ECSCRM
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Vinci International Convention Centre Tours, Frankreich

Features & Benefits

  • Hohe Oxidationsrate für thermische Oxide auf SiC
  • Prozesstemperaturen von 900 bis 1500 °C
  • Hochtemperaturfähige Heizkassette (stabil 2000 °C-erprobt)
  • Hohe Oxidqualität
  • Oxid-Nitrierung mit NO, N2O und NH3 möglich
  • O2- / H2-reiche Nassoxidation
  • H2-Annealing
  • Sichere H2/Ar und H2/N2 Formiergas-Mischung
  • In-situ DCE-Chlorreinigung
  • Kompakte Stellfläche (2,4 m2)
  • Metallfreie Heizelemente und Isolierung
  • Side-by-Side-Installation möglich
  • Automatisierte Kalibrierung
  • Profilierendes Thermoelement
Hochtemperatur-Prozess

Hochtemperatur-Prozess

Wafergrößen bis 200 mm

Wafergrößen bis 200 mm

Verbindungshalbleiter

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