Der Hochtemperatur-Oxidationsofen c.OXIDATOR 200 ist speziell auf die besonderen Anforderungen der SiC-Oxidation ausgelegt und eignet sich ebenfalls für die Siliziumoxidation. Das duchsatzstarke Bridge-System unterstützt Wafergrößen bis zu 200 mm und ermöglicht optional sowohl In-situ-Nassoxidationen als auch H₂- und NH₃-Temperprozesse.

Mit c.OXIDATOR 200 PRO hat centrotherm eine Weiterentwicklung der Anlage auf den Markt gebracht. Seine Die Möglichkeit, das System bei höheren Temperaturen zu entladen führt zu deutlich verkürzten Durchlaufzeiten. In Verbindung mit größere Bootkapazitäten konnte der Durchsatz um 50 % gesteigert werden.

Prozesstemperaturen von bis zu 1500 °C ermöglichen ein breites Spektrum an SiC-Oxidationsprozessen sowie die Bildung von Oxidschichten mit geringer Grenzflächenzustandsdichte (Dit) und hoher Kanalbeweglichkeit. Die Anlage zeichnet sich durch hohe Leistungsfähigkeit, eine kompakte Stellfläche, niedrige Gesamtbetriebskosten sowie maximale Prozessflexibilität aus.

Die in der Vakuumkammer installierten Rohre und Heizelemente sind für den sicheren Einsatz toxischer und brennbarer Gase ausgelegt. Post-Oxidation Annealing (POA) in NO-, N₂O- oder NH₃-Atmosphären verbessert die SiO₂/SiC-Grenzfläche und führt zu höherer Kanalbeweglichkeit, verbesserter Stabilität und einer verlängerten Oxidlebensdauer.

Die Vakuumfähigkeit in Kombination mit H₂- und Formiergas-Temperprozessen macht den c.OXIDATOR 200 zur idealen Plattform für die Entwicklung, Optimierung und Serienfertigung hochwertiger thermisch gewachsener Gate-Oxide sowie für essenzielle Vor- und Nachbehandlungsprozesse von abgeschiedenen Oxiden.

Dank seiner Korrosionsbeständigkeit ermöglicht das System den sicheren Einsatz von Chlor, das über einen DCE-Bubbler zugeführt wird, zur Anlagenreinigung, ohne langfristige Schäden an der Anlage zu verursachen.