Der c.ACTIVATOR 200 wurde für Hochtemperatur-Annealingprozesse in der Massenfertigung von SiC-Bauelementen entwickelt und eignet sich darüber hinaus ideal für eine Vielzahl weiterer Materialien. Das Bridge-System unterstützt Wafergrößen bis 200 mm und verfügt über ein einzigartiges, vollständig metallfreies Prozessrohr und Heizkonzept, das Prozesstemperaturen von bis zu 2000 °C ermöglicht.

Aufbauend auf dem bewährten Design stellt centrotherm nun den c.ACTIVATOR 200 PRO vor, der dank erhöhter Bootskapazität und deutlich verkürzter Zykluszeiten – ermöglicht durch eine höhere Entladetemperatur – einen um 50 % gesteigerten Durchsatz bietet.

Die Hauptanwendung des c.ACTIVATOR 200 ist die elektrische Aktivierung durch Post-Implantation-Annealingprozesse bei der Herstellung von SiC-MOSFETs und -Dioden bei Temperaturen bis zu 2000 °C.

Darüber hinaus eignet sich die Anlage für Hochtemperatur-Wasserstoff-Annealing, um nach dem RIE-Ätzen Gräben zu reinigen, zu glätten und abzurunden. Dadurch werden die Kanalbeweglichkeit verbessert und Feldverdichtungen an scharfen Kanten in Trench-MOSFETs reduziert. Weitere Anwendungen umfassen das Pre- und Post-Annealing von SiC-Epitaxieschichten, die kosteneffiziente Dotierstoffaktivierung von GaN-Wafern, Annealing von AlN-Seed-Schichten sowie Annealingprozesse zur Erzielung perfekter Bond-Grenzflächen von mehrschichtigen SiC-Wafern.