ANNEALING

Hochtemperatur-Annealingofen für SiC und weitere Materialien in Ar-, N2- und H2-Umgebung

Der centrotherm c.ACTIVATOR wurde für das Hochtemperatur-Annealing in der hochvolumigen Produktion von SiC-Bauteilen entwickelt, ist aber auch für andere Materialien bestens geeignet. Es sind zwei Versionen verfügbar, die Wafergrößen bis zu 200 mm ermöglichen. Der durchdachte metallfreie Aufbau von Prozessrohr und Heizsystem ermöglicht Prozesstemperaturen bis zu 2000 °C.

Die Hauptanwendung für c.ACTIVATOR ist die elektrische Aktivierung durch Post-Implantation-Annealing für die SiC-MOSFET- und Diodenfertigung bei hohen Temperaturen von bis zu 2000°C.

Weitere Anwendungen sind

  • Hochtemperatur-Wasserstoff-Annealing zur Glättung, Reinigung und Abrundung von Gräben nach dem (RIE-)Ätzprozess zur Verbesserung der Kanalbeweglichkeit und der Feldverdichtung an scharfen Kanten in der Trench-MOSFET-Fertigung
  • SiC-Substrat-Annealing bei hohen Temperaturen bis 2000°C in Ar- (oder H2)-Umgebung, zur Verbesserung der Waferqualität vor und nach der SiC-Epitaxie durch Umwandlung von schädlichen BPD-Defekten in weniger schädliche TED-Defekte
  • Kosteneffiziente Aktivierung der Dotierstoffe in GaN-Wafern bei 1150 - 1250°C
  • Annealing von AlN-Seed-Schichten und AlN-Epitaxieschichten bei ~1700°C

Prozesse

  • Annealing von SiC-Substraten
  • Post-Implantation-Annealing
  • H2-Annealing zur Trench-Optimierung
  • GaN-Annealing
  • AlN-Annealing

Optionen

  • Mini-Prozessumgebung mit Schleusensystem und optionaler Stickstoff-Spülung für eine Durchsatzsteigerung bis 25%
  • Vakuumprozess bei < 10-3 mbar
  • Automatisiertes Wafer-Handling für 100 mm und 150 mm Wafer
  • Interner Speicher mit 6 x 25 Wafer (optional: 12 x 25 Wafer)
  • Höherer Durchsatz mit bis zu 100.000 Wafer/Jahr

Vertrieb Halbleiter & Mikroelektronik

Tel. +49 7344 918 6794
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ECSCRM
ECSCRM
Vinci International Convention Centre Tours, Frankreich

Features & Benefits

  • Hohe Aktivierungsrate
  • Minimale Oberflächenrauhigkeit (mit geeignetem C-cap)
  • Maximale Temperatur 2000 °C
  • Hochtemperaturstabile Heizkassette
  • Geringer Platzbedarf (1.9 m2)
  • Dauerbetrieb bei Temperaturen ≤1600 °C
  • Metallfreie Heizelemente und Isolatoren
  • Aufheizrate bis 100 K/min
  • Batchgrößen bis 50 Wafer (150 mm)
  • Automatische Kalibrierung
  • Temperatur-profilierendes Thermoelement
Hochtemperatur-Prozess

Hochtemperatur-Prozess

Wafergrößen bis 200 mm

Wafergrößen bis 200 mm

Verbindungshalbleiter

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