ANNEALING

Hochtemperatur-Annealingofen für SiC und weitere Materialien in Ar-, N2- und H2-Umgebung

Der centrotherm c.ACTIVATOR wurde für das Hochtemperatur-Annealing in der hochvolumigen Produktion von SiC-Bauteilen entwickelt, ist aber auch für andere Materialien bestens geeignet. Es sind zwei Versionen verfügbar, die Wafergrößen bis zu 200 mm ermöglichen. Der metallfreie Aufbau von Prozessrohr und Heizsystem ermöglicht Prozesstemperaturen bis zu 2000 °C.

Die Hauptanwendung für c.ACTIVATOR ist die elektrische Aktivierung durch Post-Implantation-Annealing für die SiC-MOSFET- und Diodenfertigung bei hohen Temperaturen von bis zu 2000°C.

Weitere Anwendungen sind

Hochtemperatur-Wasserstoff-Annealing zur Glättung, Reinigung und Abrundung von Gräben nach dem (RIE-)Ätzprozess zur Verbesserung der Kanalbeweglichkeit und der Feldverdichtung an scharfen Kanten in der Trench-MOSFET-Fertigung
Kosteneffiziente Aktivierung der Dotierstoffe in GaN-Wafern bei 1150 - 1250°C
Annealing von AlN-Seed-Schichten und AlN-Epitaxieschichten bei ~1700°C

Prozesse

SiC-Annealing
Post-Implantation-Annealing
H₂-Annealing zur Trench-Optimierung
GaN-Annealing
AlN-Annealing

Optionen

Mini-Prozessumgebung mit Schleusensystem und optionaler Stickstoff-Spülung für eine Durchsatzsteigerung bis 25%
Vakuumprozess bei < 10-3 mbar
Automatisiertes Wafer-Handling
Höherer Durchsatz mit mehr als 100.000 Wafer/Jahr (prozessabhängig)