Prozesslösungen

für die Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie

Seit mehr als 70 Jahren entwickelt und realisiert centrotherm innovative thermische Lösungen. Als führender und global agierender Technologiekonzern bieten wir Produktionslösungen für die Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie an.

Die kontinuierliche Weiterentwicklung unserer Prozesstechnologie für die thermische Bearbeitung und Beschichtung von Halbleitermaterialien bilden die Basis für erfolgreiche Partnerschaften mit Industrie und Forschung. Unsere Kunden weltweit schätzen die Prozessstabilität, Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit unserer Produktionssysteme im Labor- oder Pilotmaßstab sowie in der Massenproduktion. Wir entwickeln zukunftsweisende Prozesstechnologien, die speziell auf die Anforderungen unserer Kunden zugeschnitten sind. So generieren wir für unsere Kunden wertvolle Wettbewerbsvorteile durch gezielte innovative Prozess- und Produktionslösungen.

Von Silizium bis WBG-Verbindungshalbleiter

Als einer der führenden Entwickler und Hersteller von Produktionsequipment bieten wir Lösungen für verschiedene Halbleitertechnologien und -anwendungen an. Unser Technologieportfolio umfasst Anlagen für die Prozessierung verschiedener Substrate und Materialklassen – von siliziumbasierten Halbleitern bis hin zu Wide-Band-Gap (WBG)-Halbleitern wie SiC oder GaN.

Von Silizium bis WBG-Verbindungshalbleiter
Wir realisieren Ihre individuelle Applikation mit anspruchsvollen Prozesstechnologien

Unsere Prozesskompetenz

Waferherstellung

Silizium

  • Annealing
  • Nass-/ Trockenoxidation
  • LP Poly

SOI

  • Nass-/ Trockenoxidation

SiC

  • HT-Annealing

Leistungshalbleiter

MOS

  • Diffusion / Oxidation
  • LPCVD
  • RTP

IGBT

  • HT Oxidation / Drive-in
  • Al/Ga Deposition / Diffusion
  • Dünnwafer-Annealing
  • Vakuumlöten

GaN HEMT

  • Dielektrikum / Passivierung
  • RTP

SiC MOSFET

  • Annealing (Aktivierung / Kantenglättung)
  • Oxidation (Gate /POA)
  • RTP

MEMS / TSV

  • Poly Si / SiGe (dotiert / undotiert)
  • Low-stress SiN / SiO
  • Dotiertes / undotiertes SiO2 (TEOS / LTO / HTO)
  • Vakuumlöten

Optoelektronik

VCSEL

  • LT-Nassoxidation
  • Vakuumlöten

Laserdioden / Glasfaser-Kommunikation

  • Vakuumlöten

Advanced Packaging

  • Vakuumlöten
  • Bump Reflow-Löten
  • Vakuumversiegelung

Passive Bauteile

Kupfer

  • Direct Copper Bonding (DCB)
  • Aktivlöten

Keramik

  • Sintern (MLCC / LTCC)

Glas

  • Reflow-Löten
  • Fügen (Glas auf Substrat)

Technologieführer für SiC-Hochtemperaturprozesse

centrotherm ist mit seinen Hochtemperaturöfen für Annealing- und Oxidationsprozesse für SiC-Wafer bis 150 mm weltweit führender Anbieter und Lieferant renommierter Hersteller von Leistungselektronik. Mit der neuen Anlagengeneration für 200 mm-Wafer, die als Bridging-fähige Anlage auch für 150 mm-Wafer verwendet werden kann, ermöglichen wir unseren Kunden, ihre Kosten um bis zu 23% zu senken.

centrotherm ist Technologiepartner des Europäischen Forschungsprojekts REACTION zur Errichtung der ersten europäischen 200 mm SiC-Produktionslinie. Das Projekt wird von der EU und dem Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) im Rahmen des Forschungsprogramms ECSEL (Electronic Components and Systems for European Leadership) gefördert.

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