VERTICAL

用于硅基半导体研发与生产的立式晶圆工艺系统

centrotherm 的 c.VERTICOO系列设备适用于半导体器件制造中的批量晶圆工艺。其独特设计的工艺腔室及加热系统为各种常压工艺和低压LPCVD工艺提供最大限度的灵活性,工艺温度可高达1100°C。

该独立式运行系统可作为高产量型设备用于大批量生产,也可作为迷你型设备用于研发及小批量生产。其两种规格都具有性能高、占地面积小、运行成本低、且维护方便等突出优点。

其高产量炉 c.VERTICOO 200 的主体结构为单个工艺炉管匹配双晶舟运载装置和全自动花篮到花篮晶圆处理系统,批处理量达150片晶圆,确保了产能最大化。

小批量产炉c.VERTICOO Mini可满足半导体器件的研发需要,同时降低客户的使用成本,批处理量达50 片晶圆。

工艺

气体工艺

  • 扩散
  • 干氧氧化
  • 湿氧氧化 (centrotherm Hydrox)
  • 退火(H2, N2)

LPCVD 工艺

  • 多晶硅(掺杂,未掺杂)
  • 氮化硅
  • 氮氧化硅
  • TEOS 氧化硅
  • 高温氧化硅(HTO)

选配

  • 高温氧化硅(HTO)
  • N2氛围装载区
  • 快速冷却

半导体和微电子销售

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ECSCRM
ECSCRM
Vinci International Convention Centre Tours, France

特点&优点

  • 自动对准
  • 双舟承载
  • 水冷式加热炉膛
  • 内置容量达20盒

易于维修,节省空间的设计

  • 维护通道设置在机台后方
  • 铰接式服务监控屏便于维修
  • 快速简便的内管外管更换
  • 占地面积小(3.1 m2)
  • 支持并排安装
晶圆尺寸达200mm

晶圆尺寸达200mm

工艺灵活性高

工艺灵活性高

总购置成本低

总购置成本低

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