RTP

RTP-Anlage für Silizium- und Verbindungshalbleiter

Die Stand-Alone-RTP-Anlage c.RAPID 200 wurde speziell für die vielseitigen Prozessanforderungen sowohl in F&E als auch im Produktionsbereich entwickelt. Hohe Leistungsfähigkeit und Flexibilität in Verbindung mit niedrigen Gesamtbetriebskosten machen sie zu einer der besten Lösungen im Bereich Rapid Thermal Processing.

Die Möglichkeit, Substrate entweder auf einem Suszeptor oder in einer Box zu prozessieren gewährleistet in Verbindung mit einer atmosphärischen oder Vakuum-Prozessumgebung ein breites Spektrum für mögliche Anwendungen im Bereich der Verbindungshalbleiter (z.B. für SiC oder GaN).

Die oberflächenunabhängige Temperatursteuerbarkeit ist ein absolutes Alleinstellungmerkmal unter bestehenden RTP-Lösungen.

Das pyrometerbasierte Temperaturmesssystem ermöglicht Prozesse bei niedrigen und hohen Temperaturen. Die unabhängige Lampensteuerung in Kombination mit der prädiktiven PID-Regelung bietet eine ausgezeichnete thermische Genauigkeit und Wiederholbarkeit.

c.RAPID 200 arbeitet mit einem vollautomatischen Beladesystem und ist mit einer oder zwei Prozesskammern sowie mit bis zu vier Beladestationen konfigurierbar.

Prozesse

  • Rapid Thermal Annealing (RTA)
    - Ausheilen nach Ionenimplantation
    - Kontakt-/Metall-Annealing
    - Source/Drain-Annealing
  • Rapid Thermal Oxidation (RTO)
  • Silizidbildung (Ti, Co, Ni, Pt, etc.)
  • PSG-Reflow
  • Dotierstoff-Aktivierung

Vertrieb Halbleiter & Mikroelektronik

Tel. +49 7344 918 6794
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ECSCRM
ECSCRM
Vinci International Convention Centre Tours, Frankreich

Features & Benefits

  • Rampenraten bis 40 K/s (150 mm-Siliziumwafer in Box)
  • Side-by-Side-Installation
  • Vollautomatisches Wafer-Handling

Kompromisslose Zuverlässigkeit

  • Vakuum- oder atmosphärischer Betrieb mit Druckkontrolle
  • Exzellente Temperaturgleichmäßigkeit
  • Exakte Umgebungssteuerung

Maximale Flexibilität

  • Prozessierung von Substraten bis 200 mm auf Suszeptoren oder in Box
  • Konfigurierbar mit 2 Prozesskammern und bis zu 4 Beladestationen
  • SMIF-kompatibel
Wafer bis 200 mm

Wafer bis 200 mm

Verbindungshalbleiter

Verbindungshalbleiter

Automatischer Betrieb

Automatischer Betrieb

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