ANNEALING

Hochtemperatur-Annealing und -Behandlung von Halbleiterkristallen mit breitem Bandabstand

Um die Ausbeute von Halbleiterkristallen und -bauelementen mit breitem Bandabstand zu optimieren, müssen spannungsbedingte Defekte und Versetzungen auf ein Minimum reduziert werden. Eine Methode zur Verringerung von Defekten und Versetzungen ist eine thermische Behandlung der Kristalle unmittelbar nach dem Wachstumsprozess.

Der Hochtemperatur-Annealingofen c.CRYSCOO HTA wurde speziell entwickelt, um die Produktivität und die Gesamtbetriebskosten bei der Herstellung von Halbleitermaterial mit breitem Bandabstand deutlich zu verbessern. Aufgrund der hervorragenden Temperatursteuerung und -gleichmäßigkeit übertrifft der c.CRYSCOO HTA hierbei aktuell gängige Öfen. Seine große Prozesskammer ermöglicht die gleichzeitige Verarbeitung von über 12 Boules, Ingots oder sogar 100 Rohwafern. Diese Kapazität führt in Kombination mit der ausgezeichneten Temperaturhomogenität zu einer höheren Ausbeute pro Kristall.

Prozesse

  • Annealing von Halbleiterkristallen mit breitem Bandabstand (Boules, Ingots, Rohwafer)
  • SiC-Pulver-Herstellung (Prozessschritte, inkl. Aufreinigung)
  • GaO/GaN auf SiC (Materialoptimierung)
  • AlN auf Saphir oder SiC (Gitterfehlanpassung)

Vertrieb Halbleiter & Mikroelektronik

Tel. +49 7344 918 6794
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ECSCRM
ECSCRM
Vinci International Convention Centre Tours, Frankreich

Features & Benefits

  • Ausgezeichnete Temperaturgleichmäßigkeit innerhalb des Kristalls
  • Hochtemperatur-Prozessierung bis 2200°C über lange Zeiträume von mehreren Tagen
  • Signifikante Produktivitätssteigerung
  • Verbesserte Gesamtbetriebskosten entlang der Wertschöpfungskette bei der Herstellung von Halbleitern mit breitem Bandabstand
Verbindungshalbleiter

Verbindungshalbleiter

Hochtemperatur-Prozess

Hochtemperatur-Prozess

Niedrigste Gesamtbetriebskosten

Niedrigste Gesamtbetriebskosten

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