Vertikalanlage für Silizium-Halbleiterprozesse in F&E- und Produktionsumgebung
Die centrotherm c.VERTICOO Vertikalanlagen-Plattform eignet sich für eine Vielzahl an Applikationen bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Durch den besonderen Aufbau von Prozesskammer und Heizsystem bietet die Anlage maximale Flexibilität für alle gängigen atmosphärischen und LPCVD-Prozesse.
Die Stand-Alone-Anlage ist als Hochdurchsatz-Variante für die Massenproduktion oder als Kleinchargen-Version für F&E und Kleinserienproduktion verfügbar. Beide Modelle zeichnen sich durch hohe Leistungsfähigkeit, geringen Platzbedarf, niedrige Gesamtbetriebskosten und einfache Wartung aus.
Der Hochdurchsatz-Ofen c.VERTICOO 200 kombiniert einen Einzelrohr-Aufbau mit einer Doppelboot-Logistik und einem vollautomatischem Carrier-to-Carrier-Waferhandling, wodurch maximaler Durchsatz bei Chargen bis zu 150 Wafern gewährleistet wird.
Der Kleinchargen-Ofen c.VERTICOO Mini erfüllt die hohen Anforderungen der Forschung und Entwicklung für Halbleitermaterialien und ermöglicht den Kunden geringere Entwicklungskosten durch die Verarbeitung von maximal 50 Wafern pro Charge.
Prozesse
Atmosphärische Prozesse
Diffusion
Trockenoxidation
Nassoxidation (centrotherm Hydrox)
Annealing (H2, N2)
LPCVD-Prozesse
Polysilizium (dotiert, undotiert)
Siliziumnitrid
Siliziumoxynitrid
TEOS-Abscheidung
Hochtemperatur-Oxid-Abscheidung
Optionen
Atmosphärischer Druckausgleich
N2-Schleuse
Schnellkühlung
Features & Benefits
Temperaturen bis 1100 °C
Auto-Alignment
Doppelboot-Logistik
Wassergekühlte Heizkassette
Interner Speicher für 20 Carrier
Servicefreundliche und platzsparende Anlagenplattform
Servicebereich ist durch große Türen an der Rückseite gut erreichbar
Aufklappbarer Servicemonitor erleichtert den Zugriff
Schneller und einfacher Austausch von Rohr und Liner
