VERTIKAL
Vertikalanlage für Silizium-Halbleiterprozesse in F&E- und Produktionsumgebung
Die centrotherm c.VERTICOO Vertikalanlagen-Plattform eignet sich für eine Vielzahl an Applikationen bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Durch den besonderen Aufbau von Prozesskammer und Heizsystem bietet die Anlage maximale Flexibilität für alle gängigen atmosphärischen und LPCVD-Prozesse.
Die Stand-Alone-Anlage ist als Hochdurchsatz-Variante für die Massenproduktion oder als Kleinchargen-Version für F&E und Kleinserienproduktion verfügbar. Beide Modelle zeichnen sich durch hohe Leistungsfähigkeit, geringen Platzbedarf, niedrige Gesamtbetriebskosten und einfache Wartung aus.
Der Hochdurchsatz-Ofen c.VERTICOO 200 kombiniert einen Einzelrohr-Aufbau mit einer Doppelboot-Logistik und einem vollautomatischem Carrier-to-Carrier-Waferhandling, wodurch maximaler Durchsatz bei Chargen bis zu 150 Wafern gewährleistet wird.
Der Kleinchargen-Ofen c.VERTICOO Mini erfüllt die hohen Anforderungen der Forschung und Entwicklung für Halbleitermaterialien und ermöglicht den Kunden geringere Entwicklungskosten durch die Verarbeitung von maximal 50 Wafern pro Charge.
Prozesse
Atmosphärische Prozesse
- Diffusion
- Trockenoxidation
- Nassoxidation (centrotherm Hydrox)
- Annealing (H2, N2)
LPCVD-Prozesse
- Polysilizium (dotiert, undotiert)
- Siliziumnitrid
- Siliziumoxynitrid
- TEOS-Abscheidung
- Hochtemperatur-Oxid-Abscheidung
Optionen
- Atmosphärischer Druckausgleich
- N2-Schleuse
- Schnellkühlung
Vertrieb Halbleiter & Mikroelektronik
Tel. +49 7344 918 6794
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SEMICON Taiwan
Taipei Nangang Exhibition Center | Taipeh, Taiwan
Features & Benefits
- Temperaturen bis 1100 °C
- Auto-Alignment
- Doppelboot-Logistik
- Wassergekühlte Heizkassette
- Interner Speicher für 20 Carrier
Servicefreundliche und platzsparende Anlagenplattform
- Servicebereich ist durch große Türen an der Rückseite gut erreichbar
- Aufklappbarer Servicemonitor erleichtert den Zugriff
- Schneller und einfacher Austausch von Rohr und Liner
- Kleine Stellfläche (3.1 m2)
- Side-by-Side-Installation
Wafergrößen bis 200 mm
Hohe Prozessflexibilität
Niedrige Gesamtbetriebskosten
