PECVD
Die führende Hochdurchsatz-PECVD-Technologie für die Solarzellenbeschichtung
Mit mehr als 1250 weltweit installierten Anlagen ist die centrotherm PECVD-Plattform c.PLASMA die führende Technologie und hat sich als Industriestandard für die Passivierung und Antireflexbeschichtung von Solarzellen etabliert. Das System vereint auf einzigartige Weise hohen Durchsatz, hervorragende Prozessleistung und niedrigste Gesamtbetriebskosten. Es gewährleistet einen reibungslosen Betrieb bei unterschiedlichen Produktionslasten und Prozessabläufen.
centrotherm bietet entsprechend den Anforderungen an Wafergröße, Kapazität und Durchsatz zwei Hauptkonfigurationen an.
Neben der 5-Rohr-Version für Wafergrößen bis 166 mm bietet centrotherm mit c.PLASMA X eine neue und für die PV-Industrie wegweisende Anlagengeneration an. Basierend auf der bewährten Plattform setzt sie neue Maßstäbe für höchsten Durchsatz. Die 10-Rohr-Anlage bietet die gleiche maximale Flexibilität und Systemverfügbarkeit für Wafergrößen bis 210 mm. Darüber hinaus verhilft das Anlagendesign dank integrierter TMA-Versorgung und Vakuumpumpen zu bemerkenswerten Einsparungen der Stellfläche.
Prozesse
PECVD-Prozesse
- Siliziumnitrid (SiNx)
- Aluminiumoxid (AlOx)
- Siliziumoxid (SiOx)
- Siliziumoxinitrid (SiONx)
- Polysilizium
Weitere Prozesse
- Mehrschicht-Stapel
- Gradierte Schichten
Vertrieb Photovoltaik
Tel. +49 7344 918 8900
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Features & Benefits
Der Industriemaßstab für PERC-Passivierungsschichten
- AlOx/SiNx-Stapelabscheidung mit hervorragenden Passivierungseigenschaften bei Schichtdicken von 4-10 nm
- AlOx/SiNx-Stapel wird in einem Durchgang, lediglich durch Wechseln der Prozessgase, abgeschieden
- Einfache Modifikation der Schichtstapel durch Rezeptänderung
Erstklassige Antireflexbeschichtung mit maximaler Prozessflexibilität
- Hervorragende Wasserstoffpassivierung aus SiNx-Schichten
- Gradierte und mehrlagige Layer für verbesserte AR-Beschichtung im breiten Wellenlängenbereich
- Verbesserte Effizienz und Zelloptik
- Hervorragende konforme Oberflächenbeschichtung
- Geeignet für die Produktion von mono- und multikristallinen Solarzellen
Wafergrößen bis 210 mm
Direktplasma-Prozess
Maximale Prozessflexibilität
