c.RAPID 200

c.RAPID 200 RTP Anlage
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RTP-Anlage für Verbindungshalbleiter, Silizium und SiC

c.RAPID 200 ist eine flexible und automatisierte RTP-Anlage (Rapid Thermal Processing) für das gleichmäßige und kontrollierte Aufheizen von Silizium-, Germanium- und Verbindungshalbleiter-Wafern und -Bauteilen unter inaktiven oder reaktiven Prozessumgebungen. Damit ermöglicht centrotherm eine präzise Temperaturkontrolle und -steuerung sowie ein voll- /halbautomatisches Handling kleiner Wafergrößen in einem angemessenen Kostenrahmen.

Optional kann c.RAPID 200 in Vakuumatmosphäre betrieben werden und bietet ein breites Spektrum an Heizmöglichkeiten für Temperaturen von 200°C bis 1200°C mit Zeitfenstern von Sekunden bis wenigen Minuten. Dank seiner fortschrittlichen Pyrometrie-Regelungstechnik ermöglicht die Anlage höchste Temperatur-Präzision und Reproduzierbarkeit.

Der modulare Aufbau ermöglicht verschiedene Konfigurationen von der Entwicklung über die Kleinserien-Pilotfertigung bis hin zur Massenfertigung mit der gleichen Prozesskammer und den gleichen Prozessrezepten.

Features

  • Behandlung verschiedener Stoffe wie Silizium, Verbindungshalbleiter (z.B. SiC, GaN, InP, GaAs etc.), Saphir etc.
  • Möglichkeit zur Bearbeitung von Wafern oder Bauteilen auf Suszeptoren oder in Boxen
  • Voll- oder halbautomatisches Wafer-Handling mit der Möglichkeit, mehrere Wafer pro Durchlauf zu befördern
  • Moderne Temperatur-Regelungstechnik durch optische Pyrometrie
  • Temperaturbereich von 200°C bis 1200°C
  • Prozessierung von Wafergrößen von 2“ bis 200 mm
  • Ausgezeichnete Uniformität und Reproduzierbarkeit
  • Niederdruck-Betrieb

 

Anwendungen

  • Rapid Thermal Annealing (RTA)
    • Ionenimplantation
    • Kontakt-Annealing / Metallisierung
    • Source/Drain-Annealing
    • Barrier-Metal-Annealing
    • Weitere RTA-Anwendungen
  • Rapid Thermal Oxidation (RTO)
  • Silizidbildung (Ti, Co, Ni, Pt etc.)
  • PSG-Reflow
  • Aktivierung der Dotierstoffe
  • Weitere RTP-Anwendungen