c.RAPID 200
RTP-Anlage für Verbindungshalbleiter, Silizium und SiC
c.RAPID 200 ist eine flexible und automatisierte RTP-Anlage (Rapid Thermal Processing) für das gleichmäßige und kontrollierte Aufheizen von Silizium-, Germanium- und Verbindungshalbleiter-Wafern und -Bauteilen unter inaktiven oder reaktiven Prozessumgebungen. Damit ermöglicht centrotherm eine präzise Temperaturkontrolle und -steuerung sowie ein voll- /halbautomatisches Handling kleiner Wafergrößen in einem angemessenen Kostenrahmen.
Optional kann c.RAPID 200 in Vakuumatmosphäre betrieben werden und bietet ein breites Spektrum an Heizmöglichkeiten für Temperaturen von 200°C bis 1200°C mit Zeitfenstern von Sekunden bis wenigen Minuten. Dank seiner fortschrittlichen Pyrometrie-Regelungstechnik ermöglicht die Anlage höchste Temperatur-Präzision und Reproduzierbarkeit.
Der modulare Aufbau ermöglicht verschiedene Konfigurationen von der Entwicklung über die Kleinserien-Pilotfertigung bis hin zur Massenfertigung mit der gleichen Prozesskammer und den gleichen Prozessrezepten.
Features
- Behandlung verschiedener Stoffe wie Silizium, Verbindungshalbleiter (z.B. SiC, GaN, InP, GaAs etc.), Saphir etc.
- Möglichkeit zur Bearbeitung von Wafern oder Bauteilen auf Suszeptoren oder in Boxen
- Voll- oder halbautomatisches Wafer-Handling mit der Möglichkeit, mehrere Wafer pro Durchlauf zu befördern
- Moderne Temperatur-Regelungstechnik durch optische Pyrometrie
- Temperaturbereich von 200°C bis 1200°C
- Prozessierung von Wafergrößen von 2“ bis 200 mm
- Ausgezeichnete Uniformität und Reproduzierbarkeit
- Niederdruck-Betrieb
Anwendungen
- Rapid Thermal Annealing (RTA)
- Ionenimplantation
- Kontakt-Annealing / Metallisierung
- Source/Drain-Annealing
- Barrier-Metal-Annealing
- Weitere RTA-Anwendungen
- Rapid Thermal Oxidation (RTO)
- Silizidbildung (Ti, Co, Ni, Pt etc.)
- PSG-Reflow
- Aktivierung der Dotierstoffe
- Weitere RTP-Anwendungen