c.PLASMOX LT

c.PLASMOXLT
c.PLASMOXLT
c.PLASMOXLT

Niedertemperatur-Oxidation mit Mikrowellenplasma

c.PLASMOX LT ist eine Halbleiter-Produktionsanlage für das Aufwachsen von hochqualitativen Oxiden und nitridierten Oxiden bei niederen Temperaturen und wird in der Advanced CMOS-Technologie für Logic- und Memory-Bauelemente eingesetzt.

Der Einsatz von Mikrowellenplasma ermöglicht ein Aufwachsen dünner Oxide bei niedrigen Temperaturen (200 °C) mit den gleichen mechanischen und elektrischen Eigenschaften wie durch Hochtemperaturoxidation.

Die Produktionsanlage ist modular aufgebaut und kann für differenzierte R&D-Anwendungen ebenso wie für die Massenfertigung von 200 oder 300 mm-Wafer konfiguriert werden.

Features

  • Plasma-Prozesse unter 650 °C
  • Atomar feine Oxid-Grenzschichten
  • Defektfreie Plasma-Oxidation
  • Exakte Konturtreue unabhängig von Kristallorientierung oder -dotierung
  • Störungs-, Verlust- und Grenzflächendichte vergleichbar mit Hochtemperatur-Oxidationsprozessen
  • Oxidationsgeschwindigkeit bei Si3N4 ähnlich der für Silizium
  • Oxidieren und Nitridieren weiterer Stoffe für Advanced Memory-Bauelemente, wie z.B. Germanium
  • In-Situ Annealing bis 950°C

 

Anwendungen

  • STI-Liner
  • Verbesserung der Grenzflächen von High-k-Dielektrika
  • Ausbildung und Tempern von Grenzflächen-Oxid
  • Verdichtung abgeschiedener Oxide
  • FinFET Gate-Oxidation
  • Oxidation von Metallen für RRAM- und MRAM-Anwendungen