c.OXIDATOR 150

c.OXIDATOR 150 SiC-Hochtemperaturofen
c.OXIDATOR 150 Bedienpanel
Siliziumcarbid-Wafer

Hochtemperatur-Oxidationsofen

Mit dem c.OXIDATOR 150 hat centrotherm einen Hochtemperaturofen speziell für die Oxidation von Siliziumcarbid (SiC) entwickelt.

Durch seine hohe Prozesstemperatur von bis zu 1380°C und der Oxidation in O2, N2O, NO, NO2 oder WetOx Atmosphäre vereint er eine hohe Flexibilität mit der erprobten Prozessqualität.

Die metallfreie Heizung sowie das doppelte Vakuum bieten dem Anwender den derzeit sichersten ToxGas-Oxidationsofen auf dem Markt.

Features

  • Prozessierung von 2“, 3“, 100 mm und 150 mm Wafern sowie jegliche Kombinationen
  • maximale Aufheizrate 7,5 K/min
  • Batch-Größen bis zu 50 Wafer (150 mm)
  • Prozessdruck von 850 mbar bis Atmosphärendruck

 

Prozesse

  • Oxidation