Kristallisationsofen
Für die Herstellung von Ingots unter Anwendung der gerichteten Erstarrung
Der centrotherm SiTec Kristallisationsofen kommt in Ingot- und Wafer-Produktionsstätten zum Einsatz. Nachdem die Polysiliziumbrocken geschmolzen sind, werden Ingots nach dem Prinzip der gerichteten Erstarrung herangezüchtet.
Der Gesamtprozess setzt sich aus Aufheiz-, Schmelz-, Zucht,- Annealing- und Abkühlphase zusammen. Der Ofen erreicht eine Prozesstemperatur von bis zu 1.550 ºC und der Arbeitsdruck liegt zwischen 0,02 und 600 mbar.
Im Inneren der Anlage befindet sich der Heizbereich (Hot Zone) aus Graphit, der in einer Vakuumkammer aus rostfreien Edelstahl untergebracht ist und durch ein Rahmengehäuse gestützt wird. Die Hot Zone enthält drei unabhängig steuerbare Thermoelemente - ein seitliches Wärmeelement, ein Boden-Wärmeelement und eine Boden-Kühleinheit. Die Hot Zone ist modular aufgebaut und für die Ingot-Generation Gen 5 mit 450 kg Basis-Füllgewicht geeignet.
Wasserkühlung, Argon-Abfluss, Vakuumpumpe, Energieversorgung, Temperatursteuerung und automatisierte Prozesskontrolle sind bereits in den Ofen integriert. Das Gehäuse ist mit einem elektromechanischen Öffnungs- und Schließmechanismus sowie einem System für die Be- und Entladung des Schmelztiegels ausgestattet.
- Vollintegrierte produktionsfertige Kristallisationsöfen mit Energieversorgung sowie Automatisierung
- Geringer Energieverbrauch < 10 kWh/kg Ingot
- Kurze Prozessdauer < 60 h mit einer hohen Uptime von > 92 %
- Hohe Ausbringungsmenge < 60 t/a oder 7,5 MWp/a
- Einfache Prozesssteuerung durch PLC (Siemens S7/PCS7)
- Abschließende Sicherheitsbarriere durch Bodenplatte aus Graphit
- Füllgewicht von 450 kg bis zu 600 kg
Hinweis: Die centrotherm photovoltaics AG behält sich das Recht vor, die angegebenen Produktspezifikationen jederzeit und ohne Ankündigung zu ändern.
