RTP-Anlage
Rapid Thermal Processing für Compound Semiconductor und Silizium
Der c.RAPID 150 wurde speziell für die vielfältigen Prozessanforderungen von F&E- und Produktionsanlagen entwickelt und unterstützt die direkte Überführung der Entwicklungsprozesse in die Produktion.
- Betrieb unter kontrolliertem Vakuum oder Atmosphärendruck
- Hohe Flexibilität: Si-Wafer oder Substrate auf einem Suszeptor bis zu 6"
- Aufheizrate bis zu 150 K/s
- Hohe Temperaturstabilität
- Präzise kontrollierte Gasatmosphäre
- Hohe Zuverlässigkeit
- Side-by-side Aufstellung möglich
Prozesse
- Annealing, contact annealing, source/drain anneal, barrier metal anneal
- Silizide
- Oxidation
- Aktivierung von Dotierstoffen
Hinweis: Die centrotherm photovoltaics AG behält sich das Recht vor, die angegebenen Produktspezifikationen jederzeit und ohne Ankündigung zu ändern.
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