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Auf der ECSCRM 2006 in Newcastle stellt centrotherm thermal solutions eine CVS HT SiC-Anlage vor (Kopie 1)

Newcastle upon Tyne, UK, 03.09.2006

centrotherm thermal solutions, ein Hersteller von thermischen Prozessanlagen mit Sitz in Blaubeuren, Deutschland, war als Aussteller auf der European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), die in Newcastle-upon-Tyne, im Vereinigten Königreich, vom 3. bis 7. September 2006 stattfand. Bei den Besuchern dieser Konferenz, die aus aller Welt angereist waren, handelte es sich um führende Experten in der Entwicklung und Fertigung von elektronischen Bauteilen aus Siliziumkarbid. centrotherm thermal solutions stellte ihre neue CHV100-Anlage vor, die für das Hochtemperatur- Aktivierungstempern von Al-Implantaten in Siliziumkarbid entwickelt wurde.

"Viele Kunden aus Europa, Japan, Asien und Nordamerika besuchten uns auf dem Messestand und zeigten sich positiv überrascht von der Leistungsfähigkeit unserer CHV100-Anlage. Diese Anlage wurde in Zusammenarbeit mit dem Fraunhofer Institut in Erlangen entwickelt", sagt Uwe Keim, Produktleiter für SiC-Prozessanlagen bei centrotherm thermal solutions. Elektronische Bauteile auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) unterscheiden sich von solchen auf Basis von Silizium (Si) dadurch, dass man sie bei Temperaturen von bis zu 600 °C einsetzen kann. Die Eigenschaften dieses Werkstoffs, die es erlauben, die Bauteile bei derart hohen Temperaturen einzusetzen, ermöglichen eine Reihe von neuen industriellen Anwendungen für MEMS, Abgassensoren in Fahr- und Flugzeugtriebwerken, Power-Management für Hybridfahrzeuge und gewerbliche Klima-Anlagen oder reduzierte Größe und erhöhte Zuverlässigkeit bei den Primärschaltreglern, die in Rechnern verwendet werden.

Zahlreiche neue Kundenkontakte konnten auf der Ausstellung geknüpft werden, da immer mehr Firmen in der Halbleiterherstellung nun in SiC einen unverzichtbaren Werkstoff für die Leistungselektronik sehen. Es wurden u. A. Kontakte zu den weltweit größten Herstellern von Bauteilen der Leistungselektronik und der Automobil-Industrie in Europa, Japan und den Vereinigten Staaten von Amerika geknüpft.

Die CHV100-Anlage ist weltweit der erste Hochtemperatur-Glühofen für Großserienanwendungen, der speziell für die Verarbeitung von elektronischen SiC-Werkstoffen entwickelt wurde. Dieser Vertikalofen kann in einer Charge bis zu 50 Wafer mit einem Durchmesser von 2”, 3” oder 4” fahren bzw. eine Kombination von Wafern mit unterschiedlichen Durchmessern in einem Rezeptlauf bearbeiten. In Kombination mit der großen Chargengröße bietet die kleine Grundfläche dieses Ofens von ca. 1,3 m² dem Kunden eine Kosteneinsparung von etwa Faktor 5 im Vergleich zu den Anlagen der Wettbewerber für Aktivierungstempern von Al-Implantaten in Siliziumkarbid. Die Flexibilität der Anlage im Hinblick auf Wafer-Durchmesser und Prozessfähigkeit ist ein entscheidender Vorteil der CHV100-Anlage, denn dies ermöglicht es dem Kunden, einerseits individuelle Prozesse zu entwickeln, andererseits aber auch Großserienanwendungen zu fahren.

Für weitere Informationen, neue Anfragen und den Kundendienst wenden Sie sich bitte an:

centrotherm thermal solutions GmbH & Co. KG

Johannes-Schmid-Straße 8
89143 Blaubeuren
Deutschland

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