Zu unseren Produkten zählen Produktionsanlagen für thermische Prozesse wie Annealing, Oxidation, Diffusion, LPCVD, PECVD, Epitaxie, Soldering und Packaging. Sie haben sich weltweit in der Halbleiterindustrie bewährt, da sie hochqualitative Prozessergebnisse, geringe Betriebskosten und maximalen Durchsatz bieten.
Prozesse
Diffusion, BBr3-Dotierung, B2H6-Dotierung, POCl3-Dotierung, H2-, N2-Tempern, Feucht- und Trockenoxidation (Option: DCE, HCl), Trocknen, Aktivierungstempern, Silizidbildung, Nitridbildung, Kontaktsinterung, Polysilizium, dotiertes Polysilizium, Silizium-Nitride, Oxinitride, TEOS, HTO, SIPOS, BTBAS.
Unsere Vakuumlötanlagen ermöglichen durch ein lunkerfreies (voidless) und flussmittelfreies (fluxless) Reflowlöten ultrareine (ultra clean) Lötverbindungen u.a. für folgende Anwendungen: Leistungshalbleiter, Mikroelektronische Hybrid-Baugruppen, Optoelectronic-Packaging, Wafer-Level-Packaging, UHB-LED Packaging, MEMS
Produktübersicht
Vertikale Batch-Wafer-Anlagen
Activator 150 Hochtemperatur-Ofen
Mit dem Activator 150 hat centrotherm einen Hochtemperaturofen speziell für das „Post Implantation Annealing“ von Siliziumcarbid- und Galliumnitrid-Wafern entwickelt. Der Ofen ist in verschiedenen Ausführungen als Labor- oder als Produktionsanlage verfügbar und bietet höchste Prozessflexibilität. Das einzigartige Design der metallfreien centrotherm Heizung erlaubt Temperaturen bis zu 1850°C und somit verkürzte Prozesszeiten. Seine kleine Stellfläche eignet sich in Verbindung mit den geringen Betriebskosten für eine kostenoptimierte Produktion.
- hohe Aktivierungsrate
- niedrige Oberflächenrauheit
- Temperaturen bis 1.850°C
- Batch-Größen bis zu 50 Wafer (150 mm)
- Aufheizrate bis zu 150 K/min
- Erhöhter Silizium-Partialdruck durch SiH4
Horizontale Batch-Wafer-Anlagen
E 1200 Horizontalofen für Forschung und Entwicklung
Die F&E-Ausführung unserer Horizontalöfen wurde speziell für die kleinvolumige Produktion entwickelt und gewährleistet dabei hochqualitative Prozesswerte sowie ein hohes Maß an Prozessflexibilität. Durch die minimale Stellfläche sowie die niedrigen Wartungs- und Betriebskosten eignet sich der E 1200 bestens als hocheffiziente Laboranlage.
- Geeignet für atmosphärische sowie PECVD- und LPCVD-Prozesse
- Prozessspezifische Kammeroptionen in 3- oder 4-Etagen-Ausführung wählbar
- Fortschrittliches Wasser-Kühlsystem, das die gegenseitige Beeinflussung der anderen Prozessrohre vermeidet
- Automatisierte Boot-Beladung möglich
- Modularer Aufbau ermöglicht eine einfache Installation und Start-up-Phase
- Annealing
- Diffusion
- LPCVD
- Oxidation
- PECVD
Horizontale Batch-Wafer-Anlagen
E 1550 Horizontalofen zur Pilot-Produktion
Der centrotherm E 1550 Horizontalofen ist für die Produktion von Klein- und Mittelserien bei hoher Prozessflexibilität und –leistung geeignet. Der Ofen ist mit bis zu 4-Etagen-Quarz- oder SiC-Prozessrohren für Wafergrößen bis 300 mm ausgestattet. Mit seinen niedrigen Wartungs- und Betriebskosten und der kleinen Stellfläche eröffnet der E 1550 sehr gute Möglichkeiten zur kosteneffizienten Produktion.
- Geeignet für atmosphärische sowie PECVD- und LPCVD-Prozesse
- Prozessspezifische Kammeroptionen in 3- oder 4-Etagen-Ausführung wählbar
- Fortschrittliches Wasser-Kühlsystem, das die gegenseitige Beeinflussung der anderen Prozessrohre vermeidet
- Automatisierte Boot-Beladung möglich
- Modularer Aufbau ermöglicht eine einfache Installation und Start-up-Phase
- Annealing
- Diffusion
- LPCVD
- Oxidation
- PECVD
Horizontale Batch-Wafer-Anlagen
E 2000 Horizontalofen zur Serienproduktion
Speziell zur Serienproduktion konzipiert zeichnet sich der centrotherm E 2000 durch eine hohe Prozessleistung, maximalen Durchsatz sowie niedrige Wartungskosten und eine kleine Stellfläche aus. Der Ofen verfügt über eine flexible Prozessfähigkeit und ist mit bis zu 4-Etagen-Quarz- oder SiC-Prozessrohren für Wafergrößen bis 300 mm ausgestattet.
- Geeignet für atmosphärische sowie PECVD- und LPCVD-Prozesse
- Prozessspezifische Kammeroptionen wählbar
- Fortschrittliches Wasser-Kühlsystem welches die gegenseitige Beeinflussung der anderen Prozessrohre vermeidet
- Automatisierte Boot-Beladung möglich
- Modularer Aufbau ermöglicht eine einfache Installation und Start-up-Phase
- Annealing
- Diffusion
- LPCVD
- Oxidation
- PECVD
Vertikale Batch-Wafer-Anlagen
Oxidator 150 Hochtemperatur-Oxidationsofen
Mit dem Oxidator 150 hat centrotherm einen Hochtemperaturofen speziell für die Oxidation von Siliziumcarbid (SiC) entwickelt. Durch seine hohe Prozesstemperatur von bis zu 1400°C und der Oxidation in O2, N2O, NO, NO2 oder WetOx Atmosphäre vereint er eine hohe Flexibilität mit der erprobten Prozessqualität. Die metallfreie Heizung sowie das doppelte Vakuum bieten dem Anwender den derzeit sichersten ToxGas-Oxidationsofen auf dem Markt.
- Batch-Verarbeitung von 2“, 3“, 100 mm und 150 mm Wafern sowie jegliche Kombinationen
- maximale Aufheizrate 7.5 K/min
- Batch-Größen bis zu 50 Wafer (150 mm)
- Prozessdruck von 850 mbar bis Atmosphärendruck
Vertikale Batch-Wafer-Anlagen
verticoo 200 Vertikalofen zur Großserien-Produktion
Als Produktionstool mit hoher Durchsatzrate und Prozessflexibilität konzipiert, ist der verticoo 200 sowohl für atmosphärische- als auch für Niederdruck-CVD-Prozesse geeignet. Das Einrohr-System mit Doppelboot-Handling ist auf minimale Handlingzeit sowie niedrige Betriebs- und Wartungskosten optimiert.
- Bis zu 150 Prozesswafer je Batch
- Automatische Ausrichtung
- Doppelboot-Handling
- Wassergekühlte Heizkassette
- Geringer Platzbedarf
- Side-by-side Aufstellung möglich
- Interner Speicher für 20 Carrier
- Annealing
- Diffusion
- LPCVD
- Oxidation
Batch-Vakuumlötanlagen
VLO 180 / VLO 300 Vakuumlötanlagen
Die centrotherm Vakuumlötanlagen VLO 180 und VLO 300 wurden für die großvolumige Produktion konzipiert und sind mit integrierten, separat regulierbaren Heiz- und Kühlplatten ausgestattet. Die Anlagen eignen sich für ein lunker- und je nach Aktivierungsprozess flussmittelfreies Reflowlöten innerhalb verschiedener Gasatmosphären und können zudem zur nasschemischen (HCOOH) Aktivierung für ein hochqualitatives Lötergebnis verwendet werden.
- Verwendung von bleifreien und bleihaltigen Pasten und Lötformteilen ohne Flussmittel
- Prozesstemperaturen bis 650°C bei sehr hoher Temperaturstabilität
- Aufheizrate bis zu 40 K/min
- Abkühlrate bis zu 180 K/min
- Das Vakuum, bzw. der Druck kann bis zu 10-1 mbar abgesenkt werden
- Option: Verwendung von 100 % H2
- Geringer Platzbedarf
- Geringer Medienverbrauch durch Batchtechnologie
- Packaging
- Sealing
- Soldering
Batch-Vakuumlötanlagen
VLO 20 F&E Vakuumlötofen
Speziell für Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen sowie die Produktion von Kleinserien entwickelt genügt der centrotherm VLO 20 den höchsten Ansprüchen des lunker- und je nach Aktivierungsprozess flussmittelfreien Vakuumlötens innerhalb verschiedener Gasatmosphären. Der VLO 20 kann sowohl zur nasschemischen (HCOOH) als auch zur trockenchemischen (MW-Plasma) Aktivierung für ein hochqualitatives Lötergebnis verwendet werden.
- Verwendung von bleifreien und bleihaltigen Pasten und Lötformteilen ohne Flussmittel
- Prozesstemperaturen bis 450°C bei sehr hoher Temperaturstabilität
- Aufheizrate bis zu 50 K/min
- Abkühlrate bis zu 180 K/min
- Das Vakuum, bzw. der Druck kann bis zu 10-5 mbar abgesenkt werden
- Geringer Platzbedarf
- Geringer Medienverbrauch durch Batchtechnologie
- Packaging
- Sealing
- Soldering
Batch-Vakuumlötanlagen
VLO 6 F&E Vakuumlötofen
Der VLO 6 ist die Einstiegs- bzw. Laborausführung unter den centrotherm Vakuumlötöfen und genügt den höchsten Anforderungen von Lötprozessen im Rahmen von Leistungshalbleiter- und Packaging-Anwendungen. Der VLO 6 weist sehr hohe Heiz- und Abkühlraten auf und eignet sich optimal zum lunker- und flussmittelfreien Reflowlöten mit ultrareinen Lötstellen. Er kann sowohl zur nasschemischen (HCOOH) als auch zur trockenchemischen (MW-Plasma) Aktivierung für ein hochqualitatives Lötergebnis verwendet werden.
- Verwendung von bleifreien und bleihaltigen Pasten und Lötformteilen ohne Flussmittel
- Prozesstemperaturen bis 400°C bei sehr hoher Temperaturstabilität
- Aufheizrate bis zu 250 K/min
- Abkühlrate bis zu 180 K/min
- Das Vakuum, bzw. der Druck kann bis zu 10-5 mbar abgesenkt werden
- Geringer Platzbedarf
- Geringer Medienverbrauch durch Batchtechnologie
- Packaging
- Sealing
- Soldering
Nächster Messetermin
29.08 - 02.09.2010