PECVD N20 Upgrade

Unsere Standard PECVD-Anlagen sind für eine Vielzahl von Siliziumnitrid-Beschichtungsprozessen sowie für die Realisierung von Schichtstapeln mit einem Brechungsindex zwischen 1,95 und 2,7 konzipiert. Im Hinblick auf Hochleistumgs-Zelltechnologien stößt der Standard-PECVD-Prozess an seine Grenzen.

Mit Hilfe des N2O-Upgrades kann der Bereich durch die Abscheidung dielektrischer Schichten mit einem Brechungsindex von 1,5 verbessert werden. Das Upgrade erweitert das Prozessfenster und trägt mit der Integration von Prozessen für die Wirkungsgradsteigerung und die Reduzierung von PID-Effekten zu einer verbesserten Wettbewerbsposition bei.

PID-Verminderung

Mit der Integration des N2O-Prozesses und der darauf basierenden verbesserten Prozessflexibilität hat centrotherm einen eigenen PECVD-Prozess entwickelt, der eine erhebliche PID-Verminderung [Potential Induced Degradation] bewirkt.

  • Kein zusätzliches Equipment notwendig
  • Keine Wirkungsgradverluste auf Zellebene
  • Keine Anpassung des BOM auf Modulebene notwendig
  • Verbesserte PID-Resistenz bereits im Feld nachgewiesen

Verbesserte Prozessflexibilität

Das centrotherm N2O-Upgrade bietet verbesserte Zellergebnisse und eine erhöhte Flexibilität bezüglich Antireflex-Beschichtung und Passivierung sowie einen verbesserten Wirkungsgrad.

  • Stufen- und Doppelschichten für eine optimierte Antireflex-Beschichtung
  • Grenzflächen-Optimierung und Oberflächenreinigung, z.B. durch Sauerstoffbehandlung

Verbesserte Zellkonzepte

Das centrotherm N2O-Upgrade ist für eine Vielzahl an Hochleistungs-Zelltechnologien unabdingbar und wird für die Herstellung einer dielektrischen Passivierungsschicht mit lokalem BSF auf der Zellrückseite, wie beispielsweise bei der centrotherm centaurus Technologie, angewandt.

  • Dielektrische Rückseiten-Passivierung
  • Wirkungsgradverbesserung der centaurus Technologie beträgt bis zu 1%
  • Verbesserte Lichtreflexion im langwelligen Bereich